Americký výrobce čipů Onsemi představil vertikální polovodiče z nitridu galia (vGaN), které podporují energeticky náročné aplikace, jako jsou datová centra pro umělou inteligenci a elektromobily. Podle společnosti čipy stanovují nový standard pro „výkonovou hustotu, účinnost a odolnost“ pro tyto aplikace a snižují energetické ztráty a ztráty tepla přibližně o 50 procent. GaN dokáže zvládnout vyšší množství energie než křemík, což znamená, že čipy založené na GaN mohou být účinnější a odolnější než jejich křemíkové protějšky. Čipy vGaN mají 3D strukturu, která jim umožňuje vést elektřinu vertikálně skrz substrát GaN. Ve…
Číst dále...Onsemi představuje vertikální čipy z nitridu galia pro energeticky náročné aplikace
