Americký výrobce čipů Onsemi představil vertikální polovodiče z nitridu galia (vGaN), které podporují energeticky náročné aplikace, jako jsou datová centra pro umělou inteligenci a elektromobily.
Podle společnosti čipy stanovují nový standard pro „výkonovou hustotu, účinnost a odolnost“ pro tyto aplikace a snižují energetické ztráty a ztráty tepla přibližně o 50 procent.
GaN dokáže zvládnout vyšší množství energie než křemík, což znamená, že čipy založené na GaN mohou být účinnější a odolnější než jejich křemíkové protějšky.
Čipy vGaN mají 3D strukturu, která jim umožňuje vést elektřinu vertikálně skrz substrát GaN.
Ve svém prohlášení výrobce čipů se sídlem v Arizoně uvedl, že jeho technologie vGaN je navržena tak, aby zvládala vysoká napětí – 1 200 voltů nebo více – v monolitickém čipu, což umožňuje vyšší výkonovou hustotu než tradiční polovodičová řešení.
Zařízení obsahující vGaN jsou také přibližně třikrát menší než komerčně dostupné laterální GaN nabídky, uvedla společnost Onsemi.
Při nasazení v datových centrech pro umělou inteligenci mohou čipy zvýšit výkonovou hustotu pro 800V DC-DC měniče pro výpočetní systémy AI, což výrazně zlepší náklady na rack, tvrdí Onsemi.
Čipy byly vyrobeny ve výrobním závodě společnosti Onsemi v Syrakusách ve státě New York. Společnost již poskytuje vzorky zařízení s napětím 700V i 1 200V zákazníkům s přednostním přístupem.
„vGaN je převratná technologie pro odvětví a upevňuje vedoucí postavení společnosti Onsemi v energetické účinnosti a inovacích. Jak elektrifikace a umělá inteligence přetvářejí průmyslová odvětví, účinnost se stala novým standardem, který definuje měřítko pokroku,“ uvedl Dinesh Ramanathan, senior viceprezident pro firemní strategii společnosti Onsemi. „Přidání vGaN do našeho portfolia výkonových produktů dává našim zákazníkům dokonalou sadu nástrojů pro poskytování bezkonkurenčního výkonu. S tímto průlomem Onsemi definuje budoucnost, kde energetická účinnost a výkonová hustota jsou měnou konkurenceschopnosti.“
Zdroj: datacenterdynamics.com
